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绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

上海贝岭公司的IGBT产品,涵盖了平面高鲁棒特性系列, 基于沟槽场截止型(Trench Field Stop)技术的高效系列,结合了超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)以及局部寿命控制等技术,显著改善了动静态性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作温度更高,转换效率更大,使用寿命更长。

产品选型表
Part No. Type Grade Mode VCES(Max.) PTOT(Max.) Freewheeling diode IC (A) (@ Tc = 100 °C) max IC (A) (@ Tc = 25 °C) max VCE(sat) (V) typ Qg (nC) typ Eon (mJ) typ Eoff (mJ) typ IF (A) (@ Tc = 100 °C) max IF (A) (@ Tc = 25 °C) max VF (V) typ Irrm(A) typ Qrr (nC) typ Package Reference Application
Part No. Type Grade Mode VCES(Max.) PTOT(Max.) Freewheeling diode IC (A) (@ Tc = 100 °C) max IC (A) (@ Tc = 25 °C) max VCE(sat) (V) typ Qg (nC) typ Eon (mJ) typ Eoff (mJ) typ IF (A) (@ Tc = 100 °C) max IF (A) (@ Tc = 25 °C) max VF (V) typ Irrm(A) typ Qrr (nC) typ Package Reference Application
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